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加快推進無錫第三代半導體產業集群發展的建議

來源:高新院 achie.org 日期:2025-07-30 點擊:

2024年,在世界集成電路協會發布的2023年全球集成電路產業綜合競爭力百強城市白皮書中,無錫位列第15位,國內僅次于上海、北京。特別是無錫高新區,位列全國高新區第二、僅次于上海張江,其中,2024年第三代半導體產業(以下簡稱“三代半產業”)實現產值118億元、入選全省未來產業先行集聚發展試點。

三代半具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、抗輻射能力強等優點,一直被視為“后摩爾時代”實現芯片性能突破的關鍵技術之一,是新一代移動通信、新能源汽車、AI 算力中心等領域的“新發動機”,已成為全球集成電路產業新的戰略競爭高地。雖然我市三代半產業發展初有成效,但面對當前國際經貿復雜環境,對比國內重點城市產業態勢,還存在布局略顯滯后、產業鏈條全而不強、創新能級尚待提升、核心人才缺乏等情況,無錫要集中精力、堅定不移匯智聚力發展三代半產業,把集成電路產業地標推向更高。

一、發力三代半新賽道。三代半以碳化硅、氮化鎵為主要代表,資料顯示,碳化硅器件市場滲透率2027年預計超過20%、2029年達100億美元。2025年射頻、功率氮化鎵市場規模預計超25億美元。要順應技術迭代進步、尊重市場發展規律,抓住現階段我市集成電路產業集群優勢,加大力度支持發展三代半產業。分析、借鑒先行城市做法,精心編制“十五五”專項規劃,支持江南大學、無錫學院、太湖學院等高校相關研究機構建設,深化產學研合作。加強與國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)和(南京)等的合作,扎實推進新吳區三代半省級未來產業先行集聚發展試點,持續厚植我市集成電路產業領先優勢、發展壯大三代半產業集群規模。

二、突出鍛長項補短板。總體而言,我市三代半產業,在器件制造、封裝(模組)領域擁有較強競爭力;在襯底、外延領域相對較弱,而且目前國內產能嚴重過剩,國家發改委已對該類項目加嚴窗口指導。要乘勢放大優勢,緊盯三代半制造工藝和新型封裝難點,組織行業頭部企業實施聯合攻關,著重發展三代半器件及封裝環節,并積極提供三代半代工。在碳化硅器件領域,建議大力支持我市一些6英寸及以下硅基功率器件產線,經適當改造增添部分設備用來生產碳化硅功率器件。如華潤微電子就是利用現有生產線來發展三代半產品,2024年企業碳化硅和氮化鎵功率器件的銷售收入同比增長135%。材料和裝備是我市集成電路產業短板之一,三代半對高溫和刻蝕硬度及深寬比的要求更高,目前國內外頭部企業并未全部涉及,建議積極探索、嵌入發展,如在材料側,目前4-6寸碳化硅襯底市場已較為飽和,可大力引進國內外頭部企業來錫建設8-12寸晶圓線。

三、大力建設三代半特色產業園區。目前我市體現三代半特色的集成電路產業園區還是空白。要進一步完善特色園區規劃布局,加強統籌指導,推動集成電路產業發達板塊優化提升、其它板塊規劃新建三代半產業園區。要按照“六個一”標準(規劃、主導產業、專業隊伍、專項政策、創新平臺、產業基金)推動特色園區對標建設。

積極引育行業龍頭。加大扶持現有骨干企業,支持向產業鏈上下游拓展,組建三代半垂直整合型企業,因地制宜引進一批擁有國際前沿技術、國內領先的企業;同時,培育挖掘扶持一批“專精特新”企業,形成產業鏈關鍵環節的自主創新優勢。

積極優化產業生態。布局三代半領域國家級公共服務平臺、技術創新平臺,同時充分發揮無錫國家“芯火”雙創基地、國家集成電路特色工藝及封裝測試創新中心等重點平臺的作用,全面提升我市三代半技術、標準、檢驗檢測等能力;同時,積極吸引國內外一流高校參與我市三代半領域的研究與開發。

積極引育高端人才。加強與先進省市人才政策的比對,進一步優化無錫人才政策,提升對三代半領域人才的吸引力。如蘇州市通過實施“海鷗計劃”,支持企業以兼職、顧問等形式引進海外高端人才,已吸引千名高端人才參與三代半研發。

四、前瞻布局第四代半導體產業。目前,作為技術發展的科學趨勢,以金剛石、氧化鎵為代表的第四代半導體已經破題。今年3月,杭州鎵仁半導體公司發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶,刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄。第四代半導體在超高壓電力電子器件、射頻電子發射器、深紫外光電探測器、量子通信和極端環境應用等領域具有巨大前景。無錫要見事早、行動快、搶先機,果斷超前決策部署第四代半導體材料的關鍵技術研發及產業培育。要加強與市內、省內高校相關強勢專業和優質團隊的緊密合作,建設研發平臺、支持研發項目、開設相關專業培養專技人才,加強政產學研合作。鼓勵國企和集成電路產業專項基金、引導社會資本積極關注第四代半導體企業,投早投長期。今年4月,華泰國際能源開發公司芯片級金剛石封裝基板制造總部簽約落戶江陰,一期投資13億元、三期累計總投資達50億元,助力我市成為國內最大的第四代半導體芯片基板產業制造基地。要以此類龍頭項目為牽引,謀劃建設第四代半導體特色產業園區,吸引產業鏈上下游企業入駐,形成產業集聚效應。加強知識產權保護,提升我市第四代半導體產業競爭力,進一步夯實我市集成電路產業集群在全國、全球的領先實力。

 

 

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2025-07-30 來源:高新院 achie.org 點擊:

2024年,在世界集成電路協會發布的2023年全球集成電路產業綜合競爭力百強城市白皮書中,無錫位列第15位,國內僅次于上海、北京。特別是無錫高新區,位列全國高新區第二、僅次于上海張江,其中,2024年第三代半導體產業(以下簡稱“三代半產業”)實現產值118億元、入選全省未來產業先行集聚發展試點。

三代半具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、抗輻射能力強等優點,一直被視為“后摩爾時代”實現芯片性能突破的關鍵技術之一,是新一代移動通信、新能源汽車、AI 算力中心等領域的“新發動機”,已成為全球集成電路產業新的戰略競爭高地。雖然我市三代半產業發展初有成效,但面對當前國際經貿復雜環境,對比國內重點城市產業態勢,還存在布局略顯滯后、產業鏈條全而不強、創新能級尚待提升、核心人才缺乏等情況,無錫要集中精力、堅定不移匯智聚力發展三代半產業,把集成電路產業地標推向更高。

一、發力三代半新賽道。三代半以碳化硅、氮化鎵為主要代表,資料顯示,碳化硅器件市場滲透率2027年預計超過20%、2029年達100億美元。2025年射頻、功率氮化鎵市場規模預計超25億美元。要順應技術迭代進步、尊重市場發展規律,抓住現階段我市集成電路產業集群優勢,加大力度支持發展三代半產業。分析、借鑒先行城市做法,精心編制“十五五”專項規劃,支持江南大學、無錫學院、太湖學院等高校相關研究機構建設,深化產學研合作。加強與國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)和(南京)等的合作,扎實推進新吳區三代半省級未來產業先行集聚發展試點,持續厚植我市集成電路產業領先優勢、發展壯大三代半產業集群規模。

二、突出鍛長項補短板。總體而言,我市三代半產業,在器件制造、封裝(模組)領域擁有較強競爭力;在襯底、外延領域相對較弱,而且目前國內產能嚴重過剩,國家發改委已對該類項目加嚴窗口指導。要乘勢放大優勢,緊盯三代半制造工藝和新型封裝難點,組織行業頭部企業實施聯合攻關,著重發展三代半器件及封裝環節,并積極提供三代半代工。在碳化硅器件領域,建議大力支持我市一些6英寸及以下硅基功率器件產線,經適當改造增添部分設備用來生產碳化硅功率器件。如華潤微電子就是利用現有生產線來發展三代半產品,2024年企業碳化硅和氮化鎵功率器件的銷售收入同比增長135%。材料和裝備是我市集成電路產業短板之一,三代半對高溫和刻蝕硬度及深寬比的要求更高,目前國內外頭部企業并未全部涉及,建議積極探索、嵌入發展,如在材料側,目前4-6寸碳化硅襯底市場已較為飽和,可大力引進國內外頭部企業來錫建設8-12寸晶圓線。

三、大力建設三代半特色產業園區。目前我市體現三代半特色的集成電路產業園區還是空白。要進一步完善特色園區規劃布局,加強統籌指導,推動集成電路產業發達板塊優化提升、其它板塊規劃新建三代半產業園區。要按照“六個一”標準(規劃、主導產業、專業隊伍、專項政策、創新平臺、產業基金)推動特色園區對標建設。

積極引育行業龍頭。加大扶持現有骨干企業,支持向產業鏈上下游拓展,組建三代半垂直整合型企業,因地制宜引進一批擁有國際前沿技術、國內領先的企業;同時,培育挖掘扶持一批“專精特新”企業,形成產業鏈關鍵環節的自主創新優勢。

積極優化產業生態。布局三代半領域國家級公共服務平臺、技術創新平臺,同時充分發揮無錫國家“芯火”雙創基地、國家集成電路特色工藝及封裝測試創新中心等重點平臺的作用,全面提升我市三代半技術、標準、檢驗檢測等能力;同時,積極吸引國內外一流高校參與我市三代半領域的研究與開發。

積極引育高端人才。加強與先進省市人才政策的比對,進一步優化無錫人才政策,提升對三代半領域人才的吸引力。如蘇州市通過實施“海鷗計劃”,支持企業以兼職、顧問等形式引進海外高端人才,已吸引千名高端人才參與三代半研發。

四、前瞻布局第四代半導體產業。目前,作為技術發展的科學趨勢,以金剛石、氧化鎵為代表的第四代半導體已經破題。今年3月,杭州鎵仁半導體公司發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶,刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀錄。第四代半導體在超高壓電力電子器件、射頻電子發射器、深紫外光電探測器、量子通信和極端環境應用等領域具有巨大前景。無錫要見事早、行動快、搶先機,果斷超前決策部署第四代半導體材料的關鍵技術研發及產業培育。要加強與市內、省內高校相關強勢專業和優質團隊的緊密合作,建設研發平臺、支持研發項目、開設相關專業培養專技人才,加強政產學研合作。鼓勵國企和集成電路產業專項基金、引導社會資本積極關注第四代半導體企業,投早投長期。今年4月,華泰國際能源開發公司芯片級金剛石封裝基板制造總部簽約落戶江陰,一期投資13億元、三期累計總投資達50億元,助力我市成為國內最大的第四代半導體芯片基板產業制造基地。要以此類龍頭項目為牽引,謀劃建設第四代半導體特色產業園區,吸引產業鏈上下游企業入駐,形成產業集聚效應。加強知識產權保護,提升我市第四代半導體產業競爭力,進一步夯實我市集成電路產業集群在全國、全球的領先實力。

 

 

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